RUUA
Ваш аккаунт не активирован. Проверьте почту. 
  1. Работа в Украине
  2. Словарь терминов
  3. Экономика
  4. Оператор вакуумно - напылительных процессов

Оператор вакуумно - напылительных процессов

3-й разряд Характеристика работ. Напыление многослойных пленочных микросхем на вакуумных и плазменных установках. Установка подложек, масок, экранов и испарителей в рабочую камеру вакуумной установки. Загрузка навесок испаряемых материалов (золото, алюминий, нихром и др.) на испарители различных конструкций. Замена мишеней на установках магнетронного напыления. Контроль электрических параметров процесса напыления; определение качества напыляемых слоев и толщины полученных пленок с помощью микроскопа. Должен знать: устройство, принцип действия и способы подналадки обслуживаемого оборудования; устройство универсальных и специальных приспособлений, контрольно - измерительных приборов; назначение процесса откачки; режимы испарения и осаждения распыляемого материала; способы и методы контроля степени вакуума; основные свойства и характеристики испаряемых материалов; основные законы электротехники и вакуумной техники. Примеры работ 1. Кристаллические элементы кварцевых резонаторов - напыление. 2. Приборы квантовые - напыление трехслойных зеркал. 3. Подложки, пленки, ситалловые спутники - напыление алюминия, золота, нихрома, индия, ванадия, никеля, молибдена с контролем качества и толщины напыленного слоя. 4. Резисторы - напыление на ситалловую подложку через маску. 4-й разряд Характеристика работ. Напыление одного и нескольких слоев металлов на пластины, а также пленки на вакуумных установках с термическим распылением. Обслуживание вакуумных установок различных типов, в том числе с магнетронным способом напыления. Определение неисправностей в работе установок и принятие мер по их устранению. Корректировка режимов напыления по результатам контрольного процесса. Регистрация и поддержание режимов осаждения с помощью контрольно - измерительной аппаратуры. Определение качества напыленных слоев и толщины полученных пленок с помощью микроскопа. Должен знать: устройство вакуумных установок различных моделей; кинематику, электрические и вакуумные схемы; правила наладки и проверки на точность обслуживаемого оборудования; устройство, назначение и условия применения контрольно - измерительных инструментов и приборов; конструкцию универсальных и специальных приспособлений; способы отыскания течей; основные свойства пленок, используемых для получения токоведущих, резистивных и изоляционных элементов микросхем; основы физического процесса получения тонких пленок; основные виды брака и причины его возникновения. Примеры работ 1. Конденсаторы тонкопленочные - напыление меди, нихрома, многоокиси кремния. 2. Микросхемы (с малой степенью интеграции), ВЧ транзисторы - напыление на пластину алюминия, золота, нихрома, молибдена, систем: молибден - алюминий, титан - алюминий, вольфрам - алюминий, вольфрам - алюминий - вольфрам. 3. Микроструктуры многослойные пленочные - получение методом напыления в вакууме с контролем качества и толщины пленок. 4. Пластины с заданным рельефом - получение методом термического испарения трехслойного выпрямляющего контакта. 5. Платы анодные для люминесцентных индикаторов - напыление нескольких слоев металла (хром, никель, медь). 6. Пленки (триацетатные, ПЭТФ) - напыление алюминия. 7. Приборы квантовые - напыление пятислойных зеркал. 8. Фотошаблоны металлизированные - напыление хрома. 5-й разряд Характеристика работ. Напыление различными способами (термическое испарение, катодное распыление, электронно - лучевое и магнетронное напыление) однослойных и многослойных пленочных микроструктур для изделий с субмикронными размерами или с повышенной степенью интеграции с выбором оптимальных режимов напыления в пределах допусков, указанных в технологической документации. Обслуживание установок с программным управлением. Наблюдение за режимами процесса. Работа с измерительной аппаратурой с целью регистрации и поддержания режимов осаждения пленок. Сравнительный контроль качества просветляющих пленок по эталону. Должен знать: электрические и вакуумные схемы, способы проверки на точность различных моделей вакуумных напылительных установок; конструкцию обслуживаемого оборудования; правила определения режимов работы оборудования для получения металлических, резистивных пленок; правила настройки и регулирования контрольно - измерительных инструментов и приборов; электрофизические свойства взаимодействия полупроводник - металл, металл - металл; основы электротехники и порядок работы вакуумной техники. Требуется среднее профессиональное образование. Примеры работ 1. Диски для видиконов - двух-, трехслойное напыление. 2. Линзы из стекла К-8 оптической толщины лямбда/4 - нанесение одного слоя MgFe2 (просветление). 3. МДП-структуры - изготовление молибденового затвора. 4. Пластины C ч As - напыление Ag с подслоем Cr. 5. Пластины стеклянные - напыление маскирующих, кварцевых покрытий. 6. Пластины полупроводниковые (диодные матрицы, СВЧ - транзисторы, БИС, СБИС, ЗУ, стабилитроны) - одно- или двухслойное напыление различными способами. 7. Пленка полистирольная или стирофлексная, конденсаторная бумага - напыление различных металлов на вакуумной установке. 8. Пленки полупроводниковые и контактные площадки - напыление на монокристаллические подложки германия, кремния, арсенида галлия. 9. Подложки кварцевые - нанесение 15 слоев равной оптической толщины лямбда/4 (зеркало с коэффициентом отражения 99%). 10. Приборы квантовые - напыление семи-, одиннадцатислойных зеркал. 6-й разряд Характеристика работ. Напыление металлических, резистивных и диэлектрических пленок на установках различных типов. Самостоятельный выбор способа нанесения пленок (термическое осаждение в вакууме, катодное распыление, осаждение из газовой фазы, электронно - лучевое и магнетронное напыление и т.д.). Отработка режимов напыления. Должен знать: конструкцию, способы и правила проверки на точность различных типов оборудования для напыления микропленочных структур; методы определения способа нанесения пленок и последовательности процесса; правила определения режимов получения пленочных микроструктур; методы контроля параметров пленок; физику процесса получения пленочных микроструктур различными способами. Требуется среднее профессиональное образование. Примеры работ 1. Микросхемы пленочные, полупроводниковые приборы - изготовление опытных образцов на установках различных типов с двухслойной или многослойной металлизацией. 2. Пластины кремния различных типов - сплавление с одновременным нанесением алюминия. 3. Пластины со структурами - многослойное напыление на установках различных типов. 4. Покрытия оптические - просветление трехслойное двухстороннее. 5. Фильтры интерференционные - нанесение двух двенадцатислойных зеркал с промежуточным слоем лямбда/2. 7-й разряд Характеристика работ. Напыление металлических и окисных покрытий с заданной оптической плотностью и дефектностью. Напыление тугоплавких металлов с образованием силицидов. Составление программ проведения процесса напыления с использованием ЭВМ. Замер поверхностного сопротивления силицидов и пленок металла. Определение отражающей способности пленки и коэффициента запыления рельефа пленкой. Отработка режимов напыления пленки с получением указанных параметров (толщина, состав, коэффициенты запыления и отражения), настройка и калибровка по эталонам приборов для измерения заданных параметров. Сборка и разборка внутрикамерного устройства установок и их чистка. Отыскание течей вакуумных систем и принятие мер по их ликвидации. Оценка качества высокого вакуума. Должен знать: устройство и принцип работы обслуживаемого оборудования; принцип работы откачных средств и способы измерения вакуума; наладку и настройку контрольно - измерительных приборов; способы получения проводящих, резистивных, барьерных, диэлектрических слоев и диодов Шоттки; влияние режимов напыления на электрофизические свойства пленок. Требуется среднее профессиональное образование.

Источник: ЕДИНЫЙ ТАРИФНО - КВАЛИФИКАЦИОННЫЙ СПРАВОЧНИК РАБОТ И ПРОФЕССИЙ РАБОЧИХ ВЫПУСК 20. Приложение к Постановлению Минтруда России от 21 января 2000 г. N 5


Ищете работу?

Ищете персонал?

↑ Наверх